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本实用新型涉及金刚石膜生长领域，尤其涉及一种金刚石薄膜连续制备使用的HFCVD设备。该设备主要包括：左室插板阀、左薄膜生长室、左室水冷电极、左室热丝架、左室热丝、左室传动辊、左室支架、进出样室支架、右室支架、右室传动辊、右室热丝、右室热丝架...
该专利属于中国科学院金属研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院金属研究所授权不得商用。

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