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一种提高反康谱仪康普顿抑制因子的布局结构制造技术
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文档序号:24166401
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本发明涉及一种提高反康谱仪康普顿抑制因子的布局结构,包括主晶体和外围晶体;所述外围晶体设置于所述主晶体周围;所述主晶体的光子入射方向的对侧也设置有外围晶体。本发明的有益效果如下:本发明通过改变反康谱仪的布局结构,提高了康普顿抑制因子,从而提...
该专利属于中国原子能科学研究院所有,仅供学习研究参考,未经过中国原子能科学研究院授权不得商用。
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