【技术实现步骤摘要】
一种提高反康谱仪康普顿抑制因子的布局结构
本专利技术属于核工业领域，具体涉及一种提高反康谱仪康普顿抑制因子的布局结构。
技术介绍
反康谱仪能有效降低由于康普顿散射形成的康普顿本底，在高能γ射线测量中还能有效抑制单逃逸峰和双逃逸峰，可提高以全能峰表针的γ射线测量的相关参数的测量精度，被广泛应用于高自旋态核结构研究、核素分析研究、环境样品测量、辐射污染调查等方面，反康谱仪最重要的性能指标参数是康普顿抑制因子，康普顿抑制因子越大说明对康普顿散射本底抑制得越好(也包括对单逃逸峰和双逃逸峰的抑制)，如何提高反康谱仪的康普顿抑制因子是反康谱仪设计的最重要目标。传统的反康谱仪的结构布局如图1所示，外围晶体成筒状，主晶体设置于其中，这种布局的反康谱仪γ射线从探测器正面入射，依靠周围一圈锗酸铋或碘化钠晶体(外围晶体)捕捉从高纯锗(主晶体)逃逸出来的康普顿散射光子或单逃逸、双逃逸的0.511MeV的γ射线，这种反康谱仪最大的缺点就是康普顿抑制因子不高。有鉴于此，特提出本专利技术。
技术实现思路
针对现有技术中...
【技术保护点】
1.一种提高反康谱仪康普顿抑制因子的布局结构，其特征在于：包括主晶体和外围晶体；所述外围晶体设置于所述主晶体周围；所述主晶体的光子入射方向的对侧也设置有外围晶体。/n
【技术特征摘要】
1.一种提高反康谱仪康普顿抑制因子的布局结构，其特征在于：包括主晶体和外围晶体；所述外围晶体设置于所述主晶体周围；所述主晶体的光子入射方向的对侧也设置有外围晶体。
2.如权利要求1所述的提高反康谱仪康普顿抑制因子的布局结构，其特征在于：所述外围晶体为圆柱形，设置有主晶体入口和光子入射口，所述光子入射口沿光子入射方向的投影不在所述主晶体入口的覆盖范围内。
3.如权利要求2所述的提高反康谱仪康普顿抑制因子的布局结构，其特征在于：所述主晶体入口设置于所述外围晶体一端，所述外围晶体另一端封闭；所述光子入射口设置于所述外围晶体的侧面。
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【专利技术属性】
技术研发人员：李立华，李玮，刘蕴韬，徐鹍，莫玉俊，
申请(专利权)人：中国原子能科学研究院，
类型：发明
国别省市：北京;11
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