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本实用新型设计了一种碳化硅衬底氮化镓基功率器件，属于半导体功率器件及其制备技术领域，其技术方案为由下向上依次设置的衬底层、缓冲层以及外延层，缓冲层为第一AlN缓冲层和第二AlN缓冲层，外延层包括AlGaN应力调控层、n‑AlGaN导电缓冲层...
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