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一种高导通低漏电的肖特基芯片，属于半导体技术领域。包括衬底，在衬底表面设置有外延层，在外延层中部形成肖特基界面（4），其特征在于：所述的外延层包括第一外延层和第二外延层，在肖特基界面（4）下部的第二外延层内间隔设置有多个第二单晶硅区（5），...
该专利属于淄博汉林半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过淄博汉林半导体有限公司授权不得商用。

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