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本实用新型公开了一种功率半导体模块和功率半导体器件。该模块包括:上桥IGBT芯片、下桥IGBT芯片、第一DBC和DBC;所述第一DBC中第一金属层包括相互绝缘的第一子金属层和第二子金属层;所述上桥IGBT芯片的集电极与所述第一子金属层连接,...该专利属于上海大郡动力控制技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海大郡动力控制技术有限公司授权不得商用。
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本实用新型公开了一种功率半导体模块和功率半导体器件。该模块包括:上桥IGBT芯片、下桥IGBT芯片、第一DBC和DBC;所述第一DBC中第一金属层包括相互绝缘的第一子金属层和第二子金属层;所述上桥IGBT芯片的集电极与所述第一子金属层连接,...