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在一种实现方式中，晶片处理方法包括用金属填充多个通抗蚀剂凹陷特征，使得第一特征的填充速率与第二特征的填充速率之比为R1；然后电化学去除金属，使得从第一特征去除金属的速率与从第二特征去除金属的速率之比大于R1，从而改善填充的均匀性。在一些实施...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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