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描述了使用烷基硼烷还原剂沉积低电阻率钨成核层的方法。所用的烷基硼烷还原剂包括具有通式BR3的化合物，其中R是C1‑C6烷基基团。还描述了使用烷基硼烷还原剂进行钨成核层的原子层沉积的设备。...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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