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本申请提供一种SiC基InP光子集成模块的制备方法，包括以下步骤：获取单晶SiC衬底层；在单晶SiC衬底层上制备Fe掺杂的InP薄膜层，形成异质衬底；在异质衬底上采用异质外延生长方法依次层叠制备波导层和有源层；对有源层进行光栅刻蚀并在有源层...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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