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半导体器件可包括在衬底上主要在第一方向上延伸的有源区域。栅极结构可被设置为与有源区域交叉，并且主要在与第一方向交叉的第二方向上延伸。栅极隔离图案可接触栅极结构的一端。栅极结构可包括多个部分，该多个部分各自在第一方向上具有不同的宽度，并且栅极...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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