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本发明公开了一种基于FDSOI器件背栅结构的静态随机存取存储器（SRAM），该新型静态随机存取存储器上所有的晶体管为FDSOI器件，器件的背栅与字线WL相连。在SRAM进行读写操作时，字线为高电平，使得PMOS阈值电压增大，NMOS阈值电压...
该专利属于华东师范大学;上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华东师范大学;上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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