温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明的一种基于迁移学习确定EUV掩膜版缺陷尺寸的方法，包括以下步骤，S1：针对两种缺陷，在已知的、不同的缺陷尺寸的情况下，通过光刻机投影得到空间像分布，分别收集大量bump样本和少量pit样本；S2：整理两种样本数据，分别分出名为训练集和...
该专利属于南京诚芯集成电路技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京诚芯集成电路技术研究院有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。