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本发明涉及一种带隙基准电压源快速启动电路，其中的带隙基准启动电路，包含：PMOS管PM1和PM2，NMOS管NM1，耗尽型NMOS管NM2，电流源；管NM1和管NM2的栅极连接有Ponrst信号；Ponrst信号在高电平阶段时，管NM1和管...
该专利属于普冉半导体(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过普冉半导体(上海)有限公司授权不得商用。

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