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本发明公开具有中间漏极的三维闪存器件及其制造方法。根据一实施例，三维闪存器件包括：串接体，包括沟道层及多个电极层，上述沟道层沿着一方向延伸形成，上述多个电极层对于上述沟道层垂直层叠；上部配线层，配置于至少一个上述串接体的上部；至少一个中间配...
该专利属于汉阳大学校产学协力团所有，仅供学习研究参考，未经过汉阳大学校产学协力团授权不得商用。

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