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本发明属于存储器领域，公开了一种基于氧化铝薄膜的一次写入多次读取存储器及其制备方法。该存储器自下而上依次设置衬底、氧化铝薄膜和上电极；其中，衬底是ITO导电玻璃，氧化铝薄膜的厚度为120nm，上电极是圆点状的Ag。本发明通过溶胶‑凝胶法制备...
该专利属于广东工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过广东工业大学授权不得商用。

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