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本发明公开了一种反极性AlGaInP薄膜LED芯片结构及制备方法，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、P面反射电极、P型欧姆接触层、P型电流扩展层、发光层、N型电流扩展层、N型欧姆接触层、N面电极，所述N型电流扩展层为Al组份x满足...
该专利属于南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司授权不得商用。

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