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本发明公开了一种静电保护电路，包括：寄生可控硅和触发电路；第一PLDMOS包括体区，漂移区，栅极结构、第一源端P+扩散区、第一源端N+扩散区、第一漏端P+扩散区。第一PLDMOS中通过插入第一漏端N+扩散区形成寄生可控硅；栅极结构、第一源端...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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