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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底、凸出于衬底上分立的鳍部以及横跨鳍部的栅极结构，栅极结构覆盖鳍部的部分顶壁和部分侧壁；在栅极结构两侧的鳍部中形成源漏掺杂层；在源漏掺杂层上形成第一金属硅化物层；在栅极结构和源漏...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。