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本发明涉及大马士革互连制程工艺，涉及半导体集成电路制造工艺，通过对金属硬质掩膜层图形进行回刻工艺，之后沉积一层第二盖帽层，第二盖帽层覆盖金属硬质掩膜层的侧壁，并覆盖在金属硬质掩膜层的侧壁的第二盖帽层一直保留至清洗工艺，如此避免了金属硬质掩膜...
该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

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