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本发明提供一种SiC基MOS器件的制备方法，整个流程仅使用了5次光刻，大幅降低了器件成本。其中由于有第一掩膜层的存在，因此器件表面始终有台阶存在，不需要额外增加光刻对准层，成本降低；此外，沟道区宽度并不是由光刻定义，而是由刻蚀定义，准确度更...
该专利属于深圳第三代半导体研究院所有，仅供学习研究参考，未经过深圳第三代半导体研究院授权不得商用。

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