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本公开涉及鳍式场效应晶体管器件和方法。一种形成半导体器件的方法，包括：在鳍上方形成第一虚设栅极结构和第二虚设栅极结构；在第一虚设栅极结构周围和第二虚设栅极结构周围形成第一电介质层；移除第一虚设栅极结构和第二虚设栅极结构以在第一电介质层中分别...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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