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本申请实施例提供了一种极性控制方法、氮化物薄膜制备方法和氮化物薄膜，涉及半导体技术领域。该极性控制方法在单晶体衬底上生长具有反演对称中心的界面层，所述界面层用于提供氮极性表面，其中，所述单晶体衬底在垂直方向上的原子具有六方密堆排布结构。通过...
该专利属于广东省半导体产业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过广东省半导体产业技术研究院授权不得商用。

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