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公开一种磁穿隧结(MTJ)，其中自由层(FL)与金属氧化物(Mox)层和隧道位障层相接以产生界面垂直磁异向性(PMA)。金属氧化物层具有非化学计量的氧化态以使寄生电阻降至最低，并包含掺质以填充空的晶格位置，藉此阻挡氧扩散通过金属氧化物层，以...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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