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本发明属于半导体功率器件技术领域，涉及横向功率MOSFET器件(Metal‑Oxide‑Semi conductor Field‑Effect Transistor)，具体为一种具有高介电常数钝化层的双通道横向功率MOSFET器件；用以解决...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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