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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底、凸出于衬底上分立的鳍部以及横跨鳍部的伪栅结构；在伪栅结构的侧壁上形成第一侧墙层；在伪栅结构两侧的鳍部中形成源漏掺杂层；形成覆盖源漏掺杂层的介质层；在第一侧墙层的顶端或底端处形...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。