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本发明公开了一种LED发光器件及其制备方法、辐照处理装置，涉及半导体器件制备技术领域，包括在衬底上依次生长外延结构层并制备电极，以形成LED芯片；采用辐照源对LED芯片进行辐照处理，辐照能量范围在0～50MeV之间，辐照剂量范围在0～200...
该专利属于广东省半导体产业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过广东省半导体产业技术研究院授权不得商用。

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