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本发明公开了一种半导体清洗方法,包括:将半导体放入NMP溶液中进行脱胶操作,以去除所述半导体表面上的胶质物体;对进行脱胶操作后的所述半导体进行清洗操作;其中,所述清洗操作包括:在第一预设温度下将所述半导体放入去离子水中漂洗第一预设时间;在第...该专利属于东莞新科技术研究开发有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过东莞新科技术研究开发有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种半导体清洗方法,包括:将半导体放入NMP溶液中进行脱胶操作,以去除所述半导体表面上的胶质物体;对进行脱胶操作后的所述半导体进行清洗操作;其中,所述清洗操作包括:在第一预设温度下将所述半导体放入去离子水中漂洗第一预设时间;在第...