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本发明公开了一种SRAM单元的读写操作方法，在对数据锁存器进行写操作时，可降低一侧上拉PMOS管的驱动能力，更利于写操作的完成。...
该专利属于苏州腾芯微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州腾芯微电子有限公司授权不得商用。

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