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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底、凸出于衬底上分立的鳍部以及位于鳍部上的一个或多个沟道叠层，沟道叠层包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层，牺牲层与沟道层材料不同；在鳍部上形成伪栅结构；刻蚀伪栅结构两侧的沟道叠层，...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。