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本发明涉及半导体制作技术领域，具体涉及一种VDMOS器件ESD保护结构及其制作工艺。其中制作工艺包括提供第一导电类型外延片，在所述第一导电类型外延片上制作多晶硅；在所述多晶硅上涂覆光刻胶；在所述多晶硅的边缘，靠近其他有源区位置处，形成ESD...
该专利属于无锡紫光微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡紫光微电子有限公司授权不得商用。

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