下载一种基于石墨烯/二硒化铂/硅复合异质结的光电探测器及其制备方法的技术资料

文档序号:23895766

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本发明提供了一种基于石墨烯/二硒化铂/硅复合异质结的光电探测器及其制备方法,所述光电探测器以硅/二氧化硅为基底,所述二氧化硅层设置有刻蚀窗口,所述刻蚀窗口中沉积有连续的二硒化铂薄膜层,且二硒化铂薄膜层的边缘伸出刻蚀窗口,平铺于二氧化硅层的上...
该专利属于重庆理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过重庆理工大学授权不得商用。

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