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本发明涉及功率半导体领域，具体提供一种集成快恢复二极管的SiC功率器件，包括SiC MOSFET和SiC IGBT；其中，对于集成PN结体二极管的SiC MOSFET器件，能够极大地降低体二极管的反向恢复电荷和相关的损耗、降低反向恢复尖峰电...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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