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本发明公开了一种包括屏蔽栅沟槽式金属氧化物半导体场效应管单元(SGT MOSFET)和超级势垒整流器(SBR)单元的集成电路，其中，SBR与SGT MOSFET位于同一芯片的不同位置。SBR单元为MOS沟道中的多数载流子提供了一个低势垒的环...
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