温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开提供了一种GaN基集成器件及其制作方法，其GaN基集成器件自下而上顺次包括：衬底、缓冲层和感应层；感应层上顺次设置有GaN感应区、连接区和信号放大区，且电性相连；沟道底部延伸至感应层内，用于隔离GaN传感区、信号放大区和连接区；G...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。