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一种Si衬底上InGaN纳米柱@Ti-Ni纳米粒子复合结构及其制备方法与应用技术
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文档序号:23870890
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本发明属于催化剂领域,具体公开了一种生长在Si衬底上InGaN纳米柱@Ti‑Ni纳米粒子复合结构及其制备方法与应用。该复合结构包括Si衬底以及生长在Si衬底上的InGaN纳米柱@Ti‑Ni纳米粒子复合材料。本发明制备的Ti‑Ni双金属纳米结...
该专利属于华南理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过华南理工大学授权不得商用。
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