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本发明提供了一种半导体结构，包括第一衬底、第二衬底及若干栅极结构，所述第二衬底中包括若干像素单元，所述像素单元与所述栅极结构的位置对应；所述第二衬底中具有若干用于隔离相邻的所述像素单元的第一沟槽隔离结构，所述像素单元中具有若干定义出感光区和...该专利属于湖北三维半导体集成制造创新中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北三维半导体集成制造创新中心有限责任公司授权不得商用。