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本发明属于柔性器件领域，为设计并制备一种基于柔性PET衬底的高介电常数栅介质层的底栅结构浮栅MOS管，采用磁控溅射的低温工艺，在较为简单的工艺中设计并制备底部驱动的柔性浮栅MOS管，极大丰富浮栅MOS管作为存储单元的存储器的用途，使得该柔性...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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