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本申请提供一种氮化铝和碳化硅复合结构图形化方法以及复合结构。通过所述氮化铝和碳化硅复合结构图形化方法，在制备所述碳化硅结构和所述氮化铝结构时，对AlN(氮化铝薄膜层)采用Cl基刻蚀气体，使得AlN侧向腐蚀较小，有效维持AlN的压电性能，在图...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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