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本发明涉及新型衬底材料技术领域，提供了一种低应力散热层半导体衬底及其制备方法和应用。本发明提供的低应力散热层半导体衬底由上至下依次为半导体衬底层、类金刚石缓冲层和金刚石薄膜层。本发明在半导体衬底层和金刚石薄膜层中间添加类金刚石缓冲层，类金刚...
该专利属于长春理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过长春理工大学授权不得商用。

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