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描述了包含使用水作为氧化剂通过原子层沉积形成金属氧化物膜的方法。金属氧化物膜被暴露于去耦等离子体以降低金属氧化物膜的湿式蚀刻速率，所述去耦等离子体包含He、H2或O2的一或多种。...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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