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调控导电高分子薄膜晶体生长的方法技术
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文档序号:23769890
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本发明涉及一种调控导电高分子薄膜晶体生长的方法,将聚‑3已基噻吩薄膜依次放入不同体积比的混合溶剂中退火,然后迅速除去薄膜中的溶剂;所述混合溶剂为氯仿与正己烷的混合溶剂或氯仿与环己烷的混合溶剂。本发明调控导电高分子薄膜晶体生长的方法,通过改变...
该专利属于东华大学所有,仅供学习研究参考,未经过东华大学授权不得商用。
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