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公开了一种C形有源区半导体器件及其制造方法及包括这种半导体器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底上竖直延伸的沟道部；相对于衬底处于沟道部的上下两端且沿着沟道部的源/漏部，其中，源/漏部在相对于衬底的横向方向上向着沟道部的一侧延...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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