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本公开涉及MOSFET器件和碳化硅MOSFET器件。该MOSFET器件包括由半导体材料制成的结构区域，半导体材料具有第一类型的导电性，结构区域具有沿着轴线彼此相对的第一侧和第二侧；具有第二类型的导电性的本本体区域域，第二类型与第一类型相对，...
该专利属于意法半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体股份有限公司授权不得商用。

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