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本实用新型提供了一种半导体器件、存储器。在本实用新型提供的半导体器件中，位线接触塞形成在有源区上并且还局部形成在栅极沟槽中的绝缘材料层上，以使得位线接触塞能够与有源区充分接触，即使在位线接触塞中形成有空隙，仍然能够确保位线接触塞与有源区之间...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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