温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型涉及法兰炉门技术领域，且公开了一种LPCVD系统法兰炉门，包括连接壁和活动炉门，所述活动炉门位于连接壁的一侧，所述连接壁四周开设有开孔，所述连接臂靠近正面的一侧外壁上固定安装有第一连接块。该LPCVD系统法兰炉门，当需要进行该活动...
该专利属于上海旻跃半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海旻跃半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。