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本发明公开了一种替代激光直接成形技术的装置，基体样品通过传输带进入准备室，准备室内有吹干系统保证样品的干净和干燥；基体样品干燥后通过传送带进入预抽室；抽气完成后通过传送带进入缓冲室，缓冲室通过分子泵进行高真空抽气；最后进入处理室，在处理室内...
该专利属于北京师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京师范大学授权不得商用。

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