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文档序号:23715843
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一种DRAM存储器,位于所述隔离层中的那一部分字线沟槽的宽度大于位于有源区中那一部分字线沟槽的宽度,相应的位于所述隔离层中的那一部分字线结构的宽度大于位于有源区中那一部分字线结构的宽度。即本实用新型中的字线结构呈波浪形,具有该种形状的字线结...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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