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本发明涉及磁存储器器件。该磁存储器器件包括:底部电极;选择器层,设置在底部电极上方;以及MTJ堆叠件,设置在选择器层上方,并且包括参考层和自由层,自由层设置在参考层上方并且通过隧道阻挡层与参考层分隔开。磁存储器器件还包括设置在MTJ堆叠件上...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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