温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

公开了一种装置。该装置包括：具有体积单轴磁结晶各向异性的第一磁性层，其中第一磁性层的磁矩垂直于第一磁性层；和邻近第一磁性层的隧道势垒，其中第一磁性层的磁矩的取向通过由在第一磁性层和隧道势垒之间流动并且流过第一磁性层和隧道势垒的电流引起的自旋...
该专利属于三星电子株式会社;国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社;国际商业机器公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。