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本发明公开一种磁阻元件及其制作方法，其于形成底电极材料层、磁隧穿接面材料层和顶电极材料层后，先将顶电极材料层图案化成顶电极，然后于顶电极侧壁形成第一间隙壁，再以顶电极和第一间隙壁为掩模蚀刻磁隧穿接面材料层和底电极材料层，形成磁隧穿接面和底电...
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